德國原廠進口貝克BEHLKE 快速高壓二極管
高速高壓脈沖發(fā)生器： 標準高壓脈沖發(fā)生器程序基于模型系列 HTS 的 BEHLKE HV 固態(tài)開關。該計劃包括用于 Q 開關和其他激光應用的快速普克爾斯盒驅(qū)動器，以及用于偏轉(zhuǎn)和加速網(wǎng)格驅(qū)動器、踢腳磁鐵驅(qū)動器、離子阱、TWR 和速調(diào)管調(diào)制器以及許多其他分析、測量和測試設備。型號系列 FQD、GHTS、FHPP 和 FSWP 是“即插即用”解決方案的標準產(chǎn)品線。所有 BEHLKE 脈沖發(fā)生器都是為系統(tǒng)集成而設計的，這意味著脈沖發(fā)生器需要高壓電源和控制信號源才能運行。根據(jù)可選的冷卻功能（散熱片、產(chǎn)品組 D )。在這一點上需要提及的是，每個 BEHLKE 開關還可以通過與附加的無源和有源部件的組合轉(zhuǎn)換為脈沖發(fā)生器單元，這些部件與開關集成并封裝在一個外殼中。此類附加部件可以是阻尼電阻器、工作電阻器、RC 緩沖器、緩沖電容器、續(xù)流二極管和高壓插座等。完美的絕緣、簡化的高壓接線和更少的組裝成本。有關 OEM 脈沖發(fā)生器解決方案，請咨詢 BEHLKE。
快速高壓二極管： 用于續(xù)流目的的快速高壓二極管組件，對于高達 200 kV 的電壓和高達 10 kA 的峰值電流具有 80 ns 的恢復時間（FDA 型號系列）。FDA 二極管組件可用作單二極管、雙二極管或帶有串聯(lián)阻塞二極管的二極管網(wǎng)絡，用于 MOSFET 或 IGBT 開關。所有 BEHLKE 高壓二極管均提供經(jīng)濟高效的塑料外殼或上述冷卻選項。請參考 產(chǎn)品的E組。 可應要求提供定制的高壓二極管。 介質(zhì)液體冷卻： 我們提供基于介電冷卻劑（PFPE、PFC、HFE）的 DLC 直接液體冷卻的所有組件，包括智能泵單元、熱交換器、冷卻板、冷卻箱、有源和無源散熱器、流量傳感器、快速連接器、適配器、管道和冷卻劑（產(chǎn)品組 F）。 高壓部件： 高壓薄膜電阻器、高壓質(zhì)量電阻器、高壓陶瓷電容器、高壓探頭、高壓電纜（產(chǎn)品組 G）。
晶閘管 / 晶閘管 / 可控硅 固定準時 可變接通時間 VAR。推拉 高壓脈沖發(fā)生器 高壓二極管 高壓 液體冷卻 高壓元件
開關，電流取決于導通時間，可控硅晶閘管。 千安應用，充電和放電，撬棍。
開關，固定導通時間，標準，MOSFET。一般脈沖應用、充電和放電、脈沖電場。
開關，固定導通時間， 高 di/dt，MOSFET。大電流、高頻、卓越的突發(fā)能力、快速充放電。
開關，固定導通時間，超快， MOSFET 。大電流、高di/dt 、中低頻、超快充放電。
開關，固定導通時間，低導通電阻，溝槽 FET。 大電流，中速充放電。
開關，可變導通時間，標準，MOSFET。 一般脈沖和開關應用，快速上升時間，高頻。
開關，可變導通時間，高 di/dt，MOSFET。 ^ hIGH在中等頻率的電流，快速上升時間。
開關，可變導通時間，低電容，MOSFET。 低耦合電容。LC2 拓撲結構具有出色的瞬態(tài)抗擾度。
開關，可變導通時間，低導通電阻，碳化硅 FET 和溝槽 FET。 高電流、低導通損耗
開關，可變導通時間，交流 MOSFET。pos的雙向開關。＆否定。電壓無極變化。交流高達 5 MHz。
開關，可變導通時間，IGBT。中等頻率下的高 di/dt 和電流能力。真正的通斷開關。
開關，可變導通時間，MCT 晶閘管。 中等頻率下的高 di/dt 和電流能力。真正的通斷開關。
開關，可變導通時間，推挽，MOSFET。半橋配置中的兩個開關路徑。真正的方波脈沖。
開關，可變導通時間，交流推挽，MOSFET。無極性變化的正負電壓半橋。
高壓脈沖發(fā)生器單元。實驗室脈沖發(fā)生器單元、特殊用途的 OEM 脈沖發(fā)生器單元、普克爾斯電池驅(qū)動器。
FDA，快速恢復高壓二極管組件?？焖倮m(xù)流二極管和網(wǎng)絡。
DLC，用于高壓電子設備的直接液體冷卻。泵組、散熱器、熱交換器、冷卻劑等。
高壓零件組件和配件。電阻器、電容器、快速高壓探頭、超快速高壓衰減器。
德國原廠進口貝克BEHLKE快速高壓二極管
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