德國原廠進(jìn)口貝克BEHLKE 高速高壓開關(guān)
陳華麗
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高速高壓開關(guān)： 我們正在設(shè)計和制造采用 MOSFET、SiC、IGBT、MCT 和晶閘管技術(shù)的單和推挽式開關(guān)配置的快速高壓固態(tài)開關(guān)模塊，適用于交流和直流，電壓高達(dá) 200 kV。固態(tài)開關(guān)計劃分為兩個基本類別：具有固定導(dǎo)通時間的開關(guān)（產(chǎn)品組 A 至 B4）和具有可變導(dǎo)通時間的開關(guān)（產(chǎn)品組 C1 至 C8）。具有固定導(dǎo)通時間的開關(guān)非常經(jīng)濟(jì)，主要用于簡單的充電或放電電路。由于其出色的 EMC 特性，它們是用于阻尼振蕩的發(fā)電機(jī)電路中的理想開關(guān)元件，尤其是與 FDA 系列的快速續(xù)流二極管連接時。如果應(yīng)用需要極高的 di/dt、極快的電壓上升時間或極短的脈沖，則具有固定導(dǎo)通時間的開關(guān)也是首選。與具有固定導(dǎo)通時間的開關(guān)相比，具有可變導(dǎo)通時間的開關(guān)具有真正的繼電器行為，因此更普遍適用。它們非常適合具有可變脈沖寬度、可變占空比的應(yīng)用或需要無限導(dǎo)通時間的情況。和下降時間，通常與容性負(fù)載有關(guān)。與使用單個開關(guān)的設(shè)置相比，推挽電路不需要工作電阻器，因此在較高工作頻率下的高壓功耗方面效率更高。由于沒有工作電阻，輸入儲能電容的尺寸可以減小到最小，而不會對產(chǎn)生的脈沖的頂部平坦度產(chǎn)生負(fù)面影響。因此，推挽開關(guān)是對脈沖形狀有高要求的方波脈沖應(yīng)用的理想選擇。BEHLKE 開關(guān)模塊始終是電氣隔離的。它們可用作正電壓和負(fù)電壓的高邊開關(guān)。如果在操作期間電壓極性必須改變（例如在具有正負(fù)離子加速的 TOF 質(zhì)譜儀中），然后考慮交流開關(guān)技術(shù)。交流開關(guān)可用作單開關(guān)和推挽開關(guān)。BEHLKE 開關(guān)的控制始終通過簡單的 TTL 信號實現(xiàn)。內(nèi)部控制和安全電路提供控制脈沖整形、過頻和溫度保護(hù)。開關(guān)不能被錯誤地控制。即使在最壞的操作條件下，它們也始終處于完全開啟或關(guān)閉狀態(tài)，絕不會介于兩者之間。并且開通或關(guān)斷上升時間不受任何外部影響，保證了整個應(yīng)用電路非常高的開關(guān)重復(fù)性和非常好的長期可靠性?？勺儗?dǎo)通時間開關(guān)的控制電路有一個額外的禁止輸入，允許連接外部過流傳感器，外部熱觸發(fā)器或其他外部安全電路。所有開關(guān)都具有可選的冷卻功能，例如改進(jìn)的導(dǎo)熱性（選項 ITC）、非導(dǎo)電陶瓷冷卻表面（選項 CCS）、隔離銅冷卻法蘭（選項 GCF）、非導(dǎo)電陶瓷冷卻法蘭（選項 GCF-CER） ，或銅（選項 CF）或輕質(zhì)石墨材料（選項 CF-GRA）的非隔離散熱片。對于電暈臨界應(yīng)用，散熱片也可以由非導(dǎo)電高性能陶瓷制成（選項 CF-CER）。如果空氣冷卻達(dá)到極限，則應(yīng)用液體冷卻。液體冷卻有兩種方式：間接液體冷卻（選項 ILC）和直接液體冷卻（選項 DLC）。間接液體冷卻具有中等冷卻效率，設(shè)計用于簡單的導(dǎo)電和非導(dǎo)電冷卻劑，例如自來水或去離子水。更高效、更適合高頻操作的是直接液體冷卻（選項 DLC），它利用全氟聚醚 (PFP??E)、全氟碳 (PFC) 或氫氟醚 (HFE) 作為非導(dǎo)電冷卻劑?？筛鶕?jù)要求提供具有單獨電氣和機(jī)械修改的定制開關(guān)。請咨詢 BEHLKE 或發(fā)送 可應(yīng)要求提供具有單獨電氣和機(jī)械修改的定制開關(guān)。請咨詢 BEHLKE 或發(fā)送 可應(yīng)要求提供具有單獨電氣和機(jī)械修改的定制開關(guān)。請咨詢 BEHLKE 或發(fā)送技術(shù)咨詢。
晶閘管 / 晶閘管 / 可控硅 固定準(zhǔn)時 可變接通時間 VAR。推拉 高壓脈沖發(fā)生器 高壓二極管 高壓 液體冷卻 高壓元件
開關(guān)，電流取決于導(dǎo)通時間，可控硅晶閘管。 千安應(yīng)用，充電和放電，撬棍。
開關(guān)，固定導(dǎo)通時間，標(biāo)準(zhǔn)，MOSFET。一般脈沖應(yīng)用、充電和放電、脈沖電場。
開關(guān)，固定導(dǎo)通時間， 高 di/dt，MOSFET。大電流、高頻、卓越的突發(fā)能力、快速充放電。
開關(guān)，固定導(dǎo)通時間，超快， MOSFET 。大電流、高di/dt 、中低頻、超快充放電。
開關(guān)，固定導(dǎo)通時間，低導(dǎo)通電阻，溝槽 FET。 大電流，中速充放電。
開關(guān)，可變導(dǎo)通時間，標(biāo)準(zhǔn)，MOSFET。 一般脈沖和開關(guān)應(yīng)用，快速上升時間，高頻。
開關(guān)，可變導(dǎo)通時間，高 di/dt，MOSFET。 ^ hIGH在中等頻率的電流，快速上升時間。
開關(guān)，可變導(dǎo)通時間，低電容，MOSFET。 低耦合電容。LC2 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)具有出色的瞬態(tài)抗擾度。
開關(guān)，可變導(dǎo)通時間，低導(dǎo)通電阻，碳化硅 FET 和溝槽 FET。 高電流、低導(dǎo)通損耗
開關(guān)，可變導(dǎo)通時間，交流 MOSFET。pos的雙向開關(guān)。＆否定。電壓無極變化。交流高達(dá) 5 MHz。
開關(guān)，可變導(dǎo)通時間，IGBT。中等頻率下的高 di/dt 和電流能力。真正的通斷開關(guān)。
開關(guān)，可變導(dǎo)通時間，MCT 晶閘管。 中等頻率下的高 di/dt 和電流能力。真正的通斷開關(guān)。
開關(guān)，可變導(dǎo)通時間，推挽，MOSFET。半橋配置中的兩個開關(guān)路徑。真正的方波脈沖。
開關(guān)，可變導(dǎo)通時間，交流推挽，MOSFET。無極性變化的正負(fù)電壓半橋。
高壓脈沖發(fā)生器單元。實驗室脈沖發(fā)生器單元、特殊用途的 OEM 脈沖發(fā)生器單元、普克爾斯電池驅(qū)動器。
FDA，快速恢復(fù)高壓二極管組件?？焖倮m(xù)流二極管和網(wǎng)絡(luò)。
DLC，用于高壓電子設(shè)備的直接液體冷卻。泵組、散熱器、熱交換器、冷卻劑等。
高壓零件組件和配件。電阻器、電容器、快速高壓探頭、超快速高壓衰減器。
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