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Behlke高壓開(kāi)關(guān)SiC和溝槽FET 應(yīng)用

    

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品牌Behlke 有效期至長(zhǎng)期有效 最后更新2020-07-26 14:04
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Behlke高壓開(kāi)關(guān)SiC和溝槽FET 應(yīng)用

高軻
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 Behlke高壓開(kāi)關(guān)SiC和溝槽FET 應(yīng)用
 

應(yīng)用說(shuō)明一:  BEHLKE固態(tài)開(kāi)關(guān)具有極高的上升和下降時(shí)間。如果您的應(yīng)用不需要全切換速度,我們建議您結(jié)合使用速度限制選件S-TT(將上升和下降時(shí)間慢大約50%)與輸入低通濾波器選件LP結(jié)合使用。限速選件有助于最大程度地減少快速高壓脈沖電路常見(jiàn)的高頻困難(例如,自激振蕩,自觸發(fā),振鈴等),并總體上簡(jiǎn)化了EMC設(shè)計(jì)。

應(yīng)用筆記二:快速固態(tài)開(kāi)關(guān)對(duì)于不受鉗位的電感負(fù)載或過(guò)大的布線電感產(chǎn)生的反向電流相對(duì)敏感。反向電流可能會(huì)以不確定的方式導(dǎo)通慢速本征(寄生)FET二極管,并且可能導(dǎo)致災(zāi)難性的開(kāi)關(guān)故障,尤其是在關(guān)斷階段結(jié)合高關(guān)斷電流時(shí)。因此,當(dāng)將電感性負(fù)載或高電感性布線連接到開(kāi)關(guān)時(shí),建議始終將FET開(kāi)關(guān)與快速續(xù)流二極管網(wǎng)絡(luò)(快速串聯(lián)隔離二極管+并聯(lián)快速續(xù)流二極管)組合使用。該保護(hù)二極管網(wǎng)絡(luò)可以通過(guò)BEHLKE FDA系列的單個(gè)二極管從外部安裝。它還可以作為選件I-FWDN集成到交換模塊中。

出口限制:根據(jù)美國(guó)法律和德國(guó)法律(雙重使用法規(guī)),對(duì)具有最大峰值電流等于或大于500安培的快速固態(tài)開(kāi)關(guān)進(jìn)行出口限制。未經(jīng)美國(guó)或德國(guó)出口當(dāng)局的有效出口許可證,不得將這些貨物出口到第三國(guó)??赡苄枰罱K用戶聲明。請(qǐng)咨詢BEHLKE。

產(chǎn)品代碼:型號(hào)包含有關(guān)電壓,電流和開(kāi)啟行為的編碼信息。前幾位代表電壓,單位為kV,破折號(hào)前的最后一位代表接通行為(0 =固定接通時(shí)間,1 =可變接通時(shí)間)。破折號(hào)后的數(shù)字表示以安培x10為單位的電流。第二個(gè)破折號(hào)后的字母將對(duì)特殊功能進(jìn)行編碼。示例HTS 61-15-SiC:HTS = HV晶體管開(kāi)關(guān),6 = 6 kV,1 =可變導(dǎo)通時(shí)間,120 = 1200安培,SiC =碳化硅(或B =低導(dǎo)通電阻溝道FET)  


B-CON

初學(xué)者的配置: 標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)關(guān)配備了各種選件,可以為沒(méi)有高壓和高頻電路設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)的用戶簡(jiǎn)化首次實(shí)驗(yàn)。初學(xué)者的配置包括FH和PT-HV選件,可輕松進(jìn)行布線和連接,而無(wú)需印刷電路板;以及LS-C,LP和S-TT選件,可實(shí)現(xiàn)非關(guān)鍵的EMC性能。沒(méi)有經(jīng)驗(yàn)的用戶還應(yīng)考慮與選件I-PC或PC結(jié)合使用,以避免高壓接線和/或高頻噪聲行為可能造成的困難。(2)

HFB 高頻突發(fā):通過(guò)外部緩沖電容器改善驅(qū)動(dòng)器的突發(fā)能力。如果產(chǎn)生的間隔小于10μs的脈沖超過(guò)10個(gè),則建議使用。
高鐵

高頻開(kāi)關(guān):外部提供輔助驅(qū)動(dòng)器電壓(根據(jù)類型為50-350 VDC)。是否必須超過(guò)規(guī)定的“最大工作頻率”。(2)

LP

低通:控制輸入??上的低通濾波器。傳播延遲時(shí)間將增加約50 ns。抖動(dòng)+ 500 ps。在高速應(yīng)用中提高了抗噪能力,并減少了關(guān)鍵布線。(3)

快速

由于增加了驅(qū)動(dòng)器功率,因此切換時(shí)間更快(-30至-40%)。最短接通時(shí)間將減少約40%至50%。僅適用于選定的大電流開(kāi)關(guān)。請(qǐng)咨詢工廠。(2)  

兒子

軟啟動(dòng):  “啟動(dòng)上升時(shí)間”增加了約20%。如果不需要最短的邊緣陡度,則可以簡(jiǎn)化EMC設(shè)計(jì)并減少關(guān)鍵性布線。(3)

關(guān)閉

軟關(guān)閉:“關(guān)閉上升時(shí)間”增加了約20%。如果不需要最短的邊緣陡度,則可以簡(jiǎn)化EMC設(shè)計(jì)并減少關(guān)鍵性布線。(3)

S-TT

軟過(guò)渡時(shí)間:“開(kāi)啟上升時(shí)間”和“關(guān)閉上升時(shí)間”增加了約20%。如果不需要最短的邊緣陡度,則可以簡(jiǎn)化EMC設(shè)計(jì)并減少關(guān)鍵性布線。(3)

最小開(kāi)啟

最小接通時(shí)間:?jiǎn)为?dú)增加最小接通時(shí)間,以確保獨(dú)立于控制信號(hào)的最小接通持續(xù)時(shí)間。用于安全相關(guān)電路。

最小關(guān)

最小關(guān)閉時(shí)間:?jiǎn)为?dú)增加最小關(guān)閉時(shí)間,以確保獨(dú)立于控制信號(hào)的最小關(guān)閉持續(xù)時(shí)間。用于安全相關(guān)電路。

ST

級(jí)分接:  在堆疊各個(gè)級(jí)的連接器,以利用單個(gè)功率半導(dǎo)體。為了在非常低的工作電壓(<0.01xVo)下也獲得快速的上升時(shí)間。

LNC

低自然電容:C N降低約30%。為了在具有高開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)電壓(Pc = V 2 x C xf)的應(yīng)用中最小化電容性功率損耗。


低漏電流:斷態(tài)電流降至指定值的10%以下。不適用于散熱片選件和UF系列的開(kāi)關(guān)。

LN

低噪聲:  內(nèi)部電源驅(qū)動(dòng)器經(jīng)過(guò)修改,可在特定時(shí)間段內(nèi)實(shí)現(xiàn)零噪聲排放。僅與敏感的檢測(cè)器放大器(例如,SEV / MCP應(yīng)用)結(jié)合使用。(2)

ISO-25

25 kV隔離:  隔離電壓增加到25 kVDC。某些型號(hào)的外殼尺寸可能會(huì)改變。

ISO-40

40 kV隔離:  隔離電壓增加到40 kVDC。某些型號(hào)的外殼尺寸可能會(huì)改變。僅與選件PT-HV有關(guān)。

ISO-80

80 kV隔離:  隔離電壓增加到80 kVDC。某些型號(hào)的外殼尺寸可能會(huì)改變。僅與選件PT-HV有關(guān)。

ISO-120

120 kV隔離:隔離電壓增加到120 kVDC。某些型號(hào)的外殼尺寸可能會(huì)改變。僅與選件PT-HV有關(guān)。

PL

被動(dòng)鎖定:特殊的禁止功能,用于快速推挽電路中的兩個(gè)單個(gè)開(kāi)關(guān)。無(wú)源開(kāi)關(guān)的輸入將被激活的開(kāi)關(guān)鎖定,以避免因噪聲而導(dǎo)通。

電腦

集成的零件組件:根據(jù)客戶的規(guī)格集成小零件的組件(例如,緩沖電容器,緩沖器,阻尼電阻器,二極管,光電耦合器)。(2)

前輪驅(qū)動(dòng)

集成式自由二極管:  內(nèi)置并聯(lián)二極管,恢復(fù)時(shí)間短。僅與感性負(fù)載有關(guān)。

固網(wǎng)

集成式空轉(zhuǎn)二極管網(wǎng)絡(luò):內(nèi)置并聯(lián)二極管加串行截止二極管,恢復(fù)時(shí)間短。僅與感性負(fù)載有關(guān)。

SPT-C

用于控制連接的屏蔽尾纖:帶LEMO插頭+插座和100Ω端接的電纜(l = 300mm,Z =100Ω)。與驅(qū)動(dòng)器電路的距離較遠(yuǎn)時(shí),提高了抗噪能力。(3)

PT-C

尾纖用于控制連接:帶有PCB連接器的柔性引線(l = 75 mm)。該選項(xiàng)僅與帶引腳的開(kāi)關(guān)模塊有關(guān)。推薦用于帶有CF和GCF選項(xiàng)的模塊。

密碼

用于控制連接的引腳:用于印刷電路板設(shè)計(jì)的鍍金引腳(可提供特殊插座)。該選項(xiàng)僅與帶有標(biāo)準(zhǔn)尾纖的交換模塊有關(guān)。

高壓

高壓連接的尾纖:帶電纜接線頭的柔性引線。為了增加爬電距離。PT-HV是開(kāi)關(guān)電壓大于25 kV的所有類型的標(biāo)準(zhǔn)配置。不建議在極快的電路中使用。

ST-HV

用于HV連接的螺釘端子:模塊底部的螺紋插入件(如果不是標(biāo)準(zhǔn)的話)。用于PCB設(shè)計(jì)。在25 kV以上的電壓下運(yùn)行需要液體絕緣(Galden®/油)或灌封。

9月

獨(dú)立控制單元。 帶LED指示器的控制單元在單獨(dú)的外殼中(尺寸為79x38x17 mm)。帶插頭的連接電纜(<1m)。帶焊針或尾纖的控制單元。

信息系統(tǒng) 光纖輸入/禁止:附加的禁止輸入,通過(guò)將禁止輸入與光纖信號(hào)一起使用來(lái)關(guān)閉開(kāi)關(guān)(僅與選件SEP-C組合使用)(2)
信息技術(shù) 光纖輸入/控制:附加的光纖控制輸入,通過(guò)光纖信號(hào)觸發(fā)開(kāi)關(guān)(僅與選件SEP-C組合使用)(2)
FOO-F 光纖輸出/故障:附加的光纖輸出,用于通過(guò)光纖信號(hào)讀出故障情況(僅與選件SEP-C組合使用)(2)
UL94

阻燃鑄造樹脂:符合UL-94-VO的鑄造樹脂。所需的最低訂購(gòu)量。(2)

跳頻 法蘭外殼: 塑料法蘭外殼,用于絕緣連接到導(dǎo)電表面。如果該開(kāi)關(guān)不適用于印刷電路板,則是理想選擇。建議使用選項(xiàng)PT-HV。
TH

管狀殼體:管狀而不是矩形殼體。適應(yīng)特定的環(huán)境條件或遇到困難的組裝情況。(2)

足球俱樂(lè)部

平整外殼:標(biāo)準(zhǔn)塑料外殼的高度減小到19毫米或更小。不能與CF,GCF和DLC冷卻選項(xiàng)組合使用。

國(guó)貿(mào)中心

增加的導(dǎo)熱系數(shù):特殊的模制工藝可增加模塊的導(dǎo)熱系數(shù)。Pd(max)將增加約。20-30%。(2)

碳纖維

銅散熱片d = 0.5毫米:散熱片 高度35毫米。鍍鎳。用于強(qiáng)制對(duì)流或自然對(duì)流的空氣冷卻,以及非導(dǎo)電冷卻液的液體冷卻。

CF-1

銅散熱片d = 1毫米:散熱片厚度為1.0毫米而不是0.5毫米。最高 功耗Pd(max)將增加約80%。用于空氣或液體冷卻(例如Galden®或油)。

CF-X2

銅散熱片“ XL”:散熱片面積增加了2倍。推薦用于自然空氣對(duì)流。與強(qiáng)制空氣或液體冷卻有關(guān)的冷卻功率沒(méi)有明顯改善。

CF-X3

銅制散熱片“ XXL”:散熱片面積增加了3倍。推薦用于自然空氣對(duì)流。與強(qiáng)制空氣或液體冷卻有關(guān)的冷卻功率沒(méi)有明顯改善。

CF-CS

定制形狀的銅散熱片:個(gè)性化的形狀可以滿足特定的OEM要求。(2)可以與選件CF-1,CF-D和CF-S組合使用,以提高冷卻能力。

CF-LC

用于液體冷卻的銅散熱片:雙散熱片,鍍鎳銅,高20毫米。用于浸入油箱等中。建議強(qiáng)制對(duì)流。與opt組合。CF-S。

碳纖維
雙銅 散熱片: 約。約100%的冷卻功率 散熱片之間的間距為2mm,建議強(qiáng)制對(duì)流。與opt組合。CF-S,CF-X2,CF-X3和CF-CS。

碳纖維
銅散熱 片:半導(dǎo)體焊接在散熱片上。約 冷卻能力提高30%至100%(取決于類型)。與選件CF-D,CF-X2,CF-X3和CF-CS組合。

CF卡

由石墨制成的非隔離式散熱片: 在類似的熱傳遞條件下,與銅相比,重量很輕,但熱容卻降低了。厚度為0.5或1毫米,高度為35毫米。

碳減排量

陶瓷制成的隔離式散熱片: 傳熱特性類似于氧化鋁。建議使用強(qiáng)制對(duì)流,因?yàn)樯崞g的間距為2 mm。高度35毫米。

CCS

陶瓷冷卻表面:開(kāi)關(guān)模塊的頂部由陶瓷制成。傳熱性能類似于氧化鋁。最高 20 kVDC隔離。建議強(qiáng)制對(duì)流。

CCF

陶瓷冷卻法蘭:開(kāi)關(guān)模塊的底部由平磨陶瓷板制成。集成金屬框架,確保均勻,安全的接觸壓力。最高 40 kVDC隔離。

C-DR

驅(qū)動(dòng) 器冷卻:驅(qū)動(dòng)器和控制電子設(shè)備的額外冷卻。建議在較高的開(kāi)關(guān)頻率下與選件HFS結(jié)合使用。(2)

GCF

接地冷卻法蘭:中功率的鍍鎳銅法蘭。最高 隔離電壓40kV。耦合電容CC增加。

GCF-X2

接地冷卻法蘭,最大值 連續(xù)功耗增加了2   倍:減小了“切換到法蘭”的熱阻,使功率消耗增加了一倍。(2)

國(guó)際勞工大會(huì)

間接液體冷卻: 液體冷卻適用于所有類型的導(dǎo)電冷卻劑,包括。水。內(nèi)部熱交換器由陶瓷制成。用于中等功耗。

DLC

直接液體冷卻:內(nèi)部冷卻通道環(huán)繞功率半導(dǎo)體。高頻應(yīng)用中最有效的冷卻方式。僅非導(dǎo)電冷卻液。


● 通過(guò)碳化硅FET(SiC)或溝槽FET技術(shù)實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻 ● 具有真正繼電器特性的多功能HV開(kāi)關(guān) ● 可通過(guò)TTL信號(hào)控制導(dǎo)通時(shí)間 ● 低動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)損耗和 極低的導(dǎo)通損耗 ● 適用于工業(yè)電源應(yīng)用 ● 過(guò)載和電壓反轉(zhuǎn)方面均很堅(jiān)固 ● 出色的dv / dt抗高壓瞬變能力  

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